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SK海力士研发72层堆叠闪存,三星电子研发出第三

发布时间:2019-08-22 11:54编辑:航空航天浏览(54)

    【据《韩联社》 2007年03月27日 报道】 继“OneNAND”和“OneDRAM”后,三星电子又研发出了可以由生产企业随意调节存储器容量的第三代合成存储器“Flex-OneNAND”。据介绍,这是该领域里首次问世的最新产品。 与此同时,三星电子还发布了即将主导“Fusion Magic”时代(出现想象中的移动产品的时代)的5款新一代移动新产品,其中包括三星电子在世界上首次研发成功的1.8英寸64 GB闪存固态硬盘(Solid State Disk)等。 三星电子27日在台湾威斯汀大酒店举行“三星移动解决方案论坛”,推出了上述的“Flex-OneNAND”等5款新一代移动产品。三星电子负责半导体的社长黄昌圭等三星电子干部和相关公司人士,以及来自当地手机及PDA企业的1000多位IT企业有关负责人出席了论坛。 当天发布的“Flex-OneNAND”维持了原有“OneNAND”产品所具有的高性能,并在一个芯片上体现了两种NAND型闪存——单级单元和多级单元的作用,是一个将单级单元的高性能和多级单元的高容量结合在一起的合成存储器。 “Flex-OneNAND”是三星电子继“OneNAND”和“OneDRAM”后研发的第三代合成存储器,手机等移动产品生产企业可以利用三星电子提供的软件,根据需要任意确定数据和性能的容量。 黄昌圭表示:“‘Flex-OneNAND’将使用产品的决定权全部交给顾客,顾客可以得到系统开发的便利性、精简化、小型化,以及最大限度地节约费用等效果。对消费者来说,也是非常实惠的。” 三星电子表示,合成半导体的不断亮相,将此前“梦幻移动”的幻想推向了实际付诸实现的“Fusion Magic”时代。 三星电子表示,继“OneDRAM”后,去年11月实现“Flex-OneNAND”的商用化之后,进一步加强了合成半导体的功能。预计到2011年,只凭合成半导体便可实现100亿美元以上的销售目标。 同时三星电子当天还发布了业界率先结合50纳米8 Gb SLC NAND型闪存和系统LSI的SSD调节器技术的高功能产品——1.8英寸64GB闪存SSD。 三星电子表示,该产品容量是去年在SMS论坛上宣布“NAND型闪存进入PC的元年”时发布的32GB SSD容量的两倍。不仅容量增加,同时实现小型化和高功能化,在8/16GB级导航系统或数码相机等数字市场上,将SSD的应用市场领域扩大到32/64GB级笔记本电脑和100/200GB级服务器市场。 三星电子表示,SSD的市场将从今年的2亿美元增长到2010年的70亿美元,成为NAND型闪存的主要市场。 此外,三星电子在论坛上还发布了OneDRAM和新一代AP(Application platform)的整合平台解决方案、全球最小像素规格的840万像素CMOS形象传感器、全球率先配备自动识别光学传感器的2.1英寸qVGA级中小型LCD产品。

      明年,三星预计扩大SSD产品阵容,推出搭载3bit V-NAND 技术的M.2和mSATA外形尺寸的850 EVO 系列SSD。三星还预计,850 EVO在满足市场日益增长的500GB以上容量SSD需求的同时,将进一步推动高容量SSD的市场扩张。

    1.SK海力士研发72层堆叠闪存:单颗轻松达1TB;

    作为NAND闪存的发明人,东芝自行研发的3D FlASH使用的是BiCS技术。BiCS FLASH™是垂直堆栈的三维(3D)闪存,相比其前一代的先进技术,即二维(2D)NAND闪存,BiCS FLASH™中的存储器单元间隔比2D NAND闪存更大。这就可以通过增加单次编程序列的数据量来提高编程速度,同时也降低了每个编程数据单元的功耗。另外BiCS FLASH™的宽存储器单元间隔相比于2D NAND闪存而言,降低了单元的耦合性,提高了可靠性。

      今年5月,三星西安半导体工厂顺利投产,标志着三星电子成功构建了由韩国(系统和存储半导体),中国(存储半导体)以及美国(系统半导体)共同组成的全球半导体三大生产基地体系。通过对半导体生产资源在全球范围内的均衡分配,实现其国际资产的战略配置。同时,西安半导体工厂竣工后,三星电子将通过中韩两国NAND闪存的双重生产体系,更加稳定地为客户供给产品。特别值得一提的是,中国不仅是全球IT企业的生产基地,而且更占世界NAND闪存销量近半。能够直接在中国生产NAND高端闪存芯片,将使三星更有效率的应对市场的变化和顾客的需求。这将是目前世界上最先进的半导体工厂,三星电子可以更有效率的应对市场的变化和顾客的需求。

    2017年,我们将看到SK海力士的第四代3D-V4,惊人的72层堆叠,还是TLC,其中第二季度量产的单晶粒容量仍为256Gb,而第四季度翻番到512Gb(64GB),这样封装闪存芯片的最高容量将达到8192Gb(1TB)。更重要的是,这一代闪存的区块尺寸将从9MB增大到13.5MB,有助于提升性能。

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      面对存储市场的快速增长,三星电子更加关注用户价值,并致力于通过不懈的创新,推动和引领整个存储市场的良性发展和变革,为更多的中国用户来带来更为优质产品和服务,引领SSD大众化时代。

    SK海力士目前已投入2.2兆韩元在韩国清州建设高科技半导体工厂,日前也进一步公开后续在韩国增建工厂的投资计划;SK海力士也表示将在大陆无锡工厂投入1兆韩元,扩大兴建无尘室及相关设备。

    TR200 SSD系列具有高于传统硬盘(HDD)的系统响应能力和数据读写能力,为改善笔记本电脑和台式电脑的用户体验提供了一种简单、便捷的方式。TR200系列采用6 Gbit/s SATA标准接口,顺序读写性能分别达到555 MB/s和540 MB/s(*以上数据来源于东芝测试结果,因测试环境和平台不同,测试结果可能会有变化,以上数据仅供参考)。随机读写性能分别达到80000 IOPS (随机读取速度)和87000 IOPS(随机写入速度) 并且,在保持高速传输的同时,运行功耗大幅降低,从而可以为长时间使用的用户或者无法及时充电的用户延长电池使用时间。

      全球存储领军品牌三星电子近日发布了其品牌固态硬盘(SSD)产品的最新成员850 EVO SSD,该产品采用三星尖端3bit 3D垂直闪存(V-NAND)技术,性能与耐用性与先前产品相比有大幅度提升,是主流电脑的理想选择。以性能与耐久性的新标杆为口号,全新850 EVO SSD将于本月底在美国、欧洲、亚洲市场总计全球53个国家上市。

    2016年8月三星电子(Samsung Electronics)宣布从第4季起量产64层3D NAND Flash存储器,东芝(Toshiba)也加速推动64层3D NAND Flash量产,全球半导体业界展开一场堆叠层数之战。

    为满足不同消费者的需求,东芝TR200此次提供三种容量:240GB、480GB和960GB,全方位为用户考虑。东芝作为闪存世界的缔造者,于1984年成功地开发出了新一代的半导体存储器—闪存。此后,又开发了被广泛应用于众多类型存储卡和应用设备中的NAND闪存,引领着存储行业不停向前迈进。此次发布的64层3D NAND固态硬盘——TR200依然是延续了东芝一贯的优秀做工和可靠性能,以用户的需求为目标,完美迎合每一个细节,使用户买的开心,用的放心!

      很荣幸能够为您介绍全新850 EVO SSD,它能够提供更卓越的运算体验,三星电子品牌产品营销团队高级副总裁金彦洙说, 三星将继续推出基于V-NAND,拥有多种外形尺寸的SSD,以加速全球SSD市场增长。

    这意味着,其实只需要两颗芯片,就能造出2TB容量的单面M.2 SSD,而且成本更低,另一方面120/128GB等低容量产品可能会被基本放弃。

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    集微网消息,据韩国经济报导及业界消息曾指出,SK海力士计划于今年上半年研发72层3D NAND Flash存储器,预定于2017年下半年在京畿道利川工厂进行量产。

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      850EVO SSD采用3位3D V-NAND技术,更适合笔记本电脑及游戏PC等普通消费使用。该产品也是继今年7月份,三星电子推出采用2 bit 3D V-NAND,专门针对高端个人PC及中小型企业服务器而设计的三星 850PRO SSD之后的又一力作。随着850EVO的发布,三星电子整合推出了基于V-NAND的新一代消费级SSD产品线。

    如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高,迫使厂商们不得不持续改进技术,尤其是强化3D堆叠设计。从堆叠层数与储存容量来看,若48层NAND Flash存储器可储存128GB,相同面积下的64层产品可储存256GB。

    近日,东芝首款64层3D NAND SSD——TR200 SATA固态硬盘系列正式上市。TR200系列可提供给个人电脑和笔记本电脑更强的性能表现,并且满足用户对大容量SSD的使用要求。其具备高效能、高容量与数据高可靠度等特色,能满足您对于个人台式机中SSD产品的苛刻需求。

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    SK海力士在产品策略上,选择跳过64层3D NAND Flash存储器,直接量产72层产品。但有业界人士批评,跳过64层直接生产72层3D NAND Flash存储器,不见得一定有更高的产品竞争力,各界不应太过重视堆叠层数目;在半导体制程上以2x、2y简称20纳米级技术,就是为了避免业者在制程进展过度竞争。

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      三星 850 EVO系列有1TB, 500GB, 250GB 和 120GB几种容量选择,其连续读取速度可达540 MB/s,写入速度可达520 MB/s。由于采用三星TurboWrite技术,1TB的850 EVO可提供 90K IOPS 的随机写入速度,可快速存储大量数据和执行多任务处理。此外,对于500GB和1TB两个型号,在每日写入 80GB 数据的基础上可连续使用5年,具有出色的可靠性。

    2015年,SK海力士量产了第二代36层堆叠3D MLC NAND(3D-V2),单晶粒容量128Gb(16GB)。2016年,SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3,闪存类型改成TLC,重点单晶粒容量256Gb(32GB),而封装芯片的容量最高可以达到4096Gb(512GB)。

    TR200由东芝联合饥饿鲨团队共同研发打造,其系列全部采用2.5英寸标准规格,使用东芝全新的3bit-per-cell TLC(1个存储器存储单元可存放3比特的数据)BiCS FLASH™存储器,为电脑游戏玩家和DIY爱好者提供公司首款采用64层3D闪存的升级版SSD。

      目前,三星存储产品规划布局阵容前所未有的强大,整体策略思路清晰、明确。三星存储产品作为业界翘楚,在创新技术、工业设计、产能等方面已经达到了同行业领先的位置,在渠道方面,依托强大的营销渠道与平台,使得三星存储产品始终站在同行业销售的前列,为更多用户来带来更为更快、更稳定、更信赖的产品。

    市调机构的资料显示,2015年到2020年NAND Flash资料储存规模年复合成长率(CAGR)将达44%,业者纷纷增加存储器堆叠层数,兆位元的超高容量时代即将来临。

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      与此同时,三星非常重视中国市场的发展。12月3日,在西安举行了2014 三星品牌存储合作伙伴大会,向全国代理商、经销商分享了三星品牌存储的产品和市场战略。发布会现场,三星电子中国总括配件事业部李明旭常务表示,作为存储行业巨头,三星在中国市场已深耕数年,矢志不渝的努力经营和潜心研发让成功变的水到渠成,三星电子无论是在综合影响力还是市场占有率上都取得了突破性进步。三星品牌存储推出具有突破性技术的850系列固态硬盘产品,将进一步推动固态硬盘领域的技术革新,并以其卓越的耐用性、高性能和高能效,引领高容量固态硬盘市场的发展。

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